г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPB10N10LG Infineon Technologies

Артикул
SPB10N10LG
Бренд
Infineon Technologies
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Цена
67 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SPB10N10LG.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
100 V
10.3A (Tc)
10V
154mOhm @ 8.1A, 10V
2V @ 21µA
22 nC @ 10 V
±20V
444 pF @ 25 V
-
PG-TO263-3-2
1 (Unlimited)
Vendor Undefined
SIPMOS®
Bulk
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
2156-SPB10N10LG,IFEINFSPB10N10LG
1,000
50W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPT007N06NATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF, N-Channel 60 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Подробнее
Артикул: MMBT5550LT1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS SS NPN 140V HV SOT23, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: PDTC114YT,215
Бренд: Nexperia
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: UFT5010A
Бренд: Microsemi
Описание: DIODE GP 100V 25A TO-3, Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 100 V 25A - -
Подробнее
Артикул: 2N4923
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 80V 1A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 3MHz 30 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: 2294001-R
Бренд: Microchip Technology
Описание: ASR-8805E V2 SINGLE, SAS/SATA Adapter Cards PCI Express
Подробнее