г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPD06N60C3ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
SPD06N60C3ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO252-3, N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-1
Цена
233 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SPD06N60C3ATMA1.jpg
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PG-TO252-3-1
REACH Unaffected
N-Channel
600 V
10V
750mOhm @ 3.9A, 10V
3.9V @ 260µA
31 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 25 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
CoolMOS™
Tape & Reel (TR)
Not For New Designs
6.2A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
INFINFSPD06N60C3ATMA1,SP001117770,2156-SPD06N60C3ATMA1
2,500
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
SPD06N60
74W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 16F120
Бренд: Solid State
Описание: RECT , 16 AMP 1200V KK DO4, Diode Avalanche 1200 V 16A Stud Mount DO-4
Подробнее
Артикул: DB156S
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A DB-S, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Surface Mount DB-S
Подробнее
Артикул: 2N6784
Бренд: Microsemi
Описание: MOSFET N-CH 200V 2.25A TO39, N-Channel 200 V 2.25A (Tc) 800mW (Ta), 15W (Tc) Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: VVZB120-12IO1
Бренд: IXYS
Описание: RECT BRIDGE 3PH 120V 1200V V2, SCR Module 1.2 kV Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode Chassis Mount V2-PAK
Подробнее
Артикул: 1N914B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35, Diode Standard 100 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 485-N-14
Бренд: American Hakko Products
Описание:

NOZZLE,30 X 30MM,PGA 30 PIN,485,

Подробнее