г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPI80N06S2L-05 Infineon Technologies

Артикул
SPI80N06S2L-05
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3, N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SPI80N06S2L-05.jpg
PG-TO262-3-1
REACH Unaffected
N-Channel
55 V
4.5V, 10V
4.8mOhm @ 80A, 10V
2V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±20V
7530 pF @ 25 V
-
TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS non-compliant
OptiMOS™
Tube
Obsolete
80A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP000016360,SPI80N06S2L05
500
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
300W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NTE2349
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 120V 50A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 50 A - 300 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 1292-43-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON3/4, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.063" (27.00mm) 1 1/16" -
Подробнее
Артикул: BD442G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 80V 4A TO-225AA, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 4 A 3MHz 36 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: ES07D-GS08
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 200V 1.2A DO219AB, Diode Standard 200 V 500mA Surface Mount DO-219AB (SMF)
Подробнее
Артикул: 203-CCS
Бренд: Century Spring
Описание: EXT O= .094,L= 1.00,W= .015,
Подробнее
Артикул: IRF9395MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 14A 2.1W Surface Mount DIRECTFET™ MC
Подробнее