г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPP08P06PHXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
SPP08P06PHXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3, P-Channel 60 V 8.8A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SPP08P06PHXKSA1.jpg
PG-TO220-3
REACH Unaffected
P-Channel
60 V
10V
300mOhm @ 6.2A, 10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 25 V
-
TO-220-3
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
SIPMOS®
Tube
Obsolete
8.8A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
IFEINFSPP08P06PHXKSA1,SPP08P06P H-ND,2156-SPP08P06PHXKSA1,SPP08P06P G-ND,SP000446908,SPP08P06P H,SPP08P06P G
500
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
42W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N3906,116
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS PNP 40V 0.2A TO92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: SD0805S040S0R1
Бренд: KYOCERA AVX
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA 0805, Diode Schottky 40 V 100mA (DC) Surface Mount 0805 (2012 Metric)
Подробнее
Артикул: VS-GT100DA120U
Бренд: VISHAY
Описание: IGBT MOD 1200V 258A 893W SOT227, IGBT Module Trench Single 1200 V 258 A 893 W Chassis Mount SOT-227
Подробнее
Артикул: IRFR320TR
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK, N-Channel 400 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: MUR160GP-TP
Бренд: Micro Commercial
Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41, Diode Standard 600 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: MD918B
Бренд: Central Semiconductor
Описание: TRANS 2NPN 50MA 15V TO78-6, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 15V 50mA 600MHz 2W Through Hole TO-78-6
Подробнее