г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPP18P06PHXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
SPP18P06PHXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3, P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO220-3
Цена
300 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SPP18P06PHXKSA1.jpg
TO-220-3
PG-TO220-3
REACH Unaffected
P-Channel
60 V
10V
130mOhm @ 13.2A, 10V
4V @ 1mA
28 nC @ 10 V
±20V
860 pF @ 25 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
SIPMOS®
Tube
Active
18.7A (Ta)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SPP18P06P G-ND,IFEINFSPP18P06PHXKSA1,SPP18P06P H,SPP18P06PH,2156-SPP18P06PHXKSA1,SP000446906,SPP18P06P G,SPP18P06P H-ND
50
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
SPP18P06
81.1W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BZX79-C3V3,113
Бренд: Nexperia
Описание: DIODE ZENER 3.3V 400MW ALF2, Zener Diode 3.3 V 400 mW ±5% Through Hole ALF2
Подробнее
Артикул: IKW50N60H3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: KBL608
Бренд: Rectron
Описание: BRIDGE RECT GLASS 800V 6A KBL, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole KBL
Подробнее
Артикул: BAS70W-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT323, Diode Schottky 70 V 70mA (DC) Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRGP4069PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 76A 268W TO247AC, IGBT Trench 600 V 76 A 268 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SIA453EDJ-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC70-6, P-Channel 30 V 24A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Подробнее