г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SQD10950E_GE3 VISHAY

Артикул
SQD10950E_GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA, N-Channel 250 V 11.5A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Цена
238 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SQD10950E_GE3.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
250 V
11.5A (Tc)
7.5V, 10V
162mOhm @ 12A, 10V
3.5V @ 250µA
±20V
785 pF @ 25 V
-
62W (Tc)
Surface Mount
2,000
SQD10950E_GE3-ND,742-SQD10950E_GE3DKR,742-SQD10950E_GE3CT,742-SQD10950E_GE3TR
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252AA
SQD10950
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
16 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF9610S
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK, P-Channel 200 V 1.8A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: 2N5224
Бренд: onsemi
Описание: NPN LO LEVEL SWITCH TRANS TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 12 V 100 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: EW-403
Бренд: Chemtronics
Описание: SOLDER TIP,
Подробнее
Артикул: A2C35S12M3-F
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK2, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter with Brake 1200 V 35 A 250 W Chassis Mount ACEPACK™ 2
Подробнее
Артикул: 2SA2039-E
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 50V 5A TP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 5 A 360MHz 800 mW Through Hole TP
Подробнее
Артикул: IRAM256-1067A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 8A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее