г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SQJ459EP-T1_GE3 VISHAY

Артикул
SQJ459EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8, P-Channel 60 V 52A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
239 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SQJ459EP-T1_GE3.jpg
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
60 V
52A (Tc)
4.5V, 10V
18mOhm @ 3.5A, 10V
2.5V @ 250µA
108 nC @ 10 V
±20V
4586 pF @ 30 V
-
3,000
SQJ459EP-T1_GE3CT,SQJ459EP-T1_GE3DKR,SQJ459EP-T1_GE3TR
8541.29.0095
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SQJ459
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
83W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: P-6466
Бренд: WEC
Описание: TRANSFORMER POWER 3.0A 6.3 C.T.,
Подробнее
Артикул: 1143-8-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS1/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.438" (36.53mm) 1 7/16" -
Подробнее
Артикул: IRGP4750DPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT WITH RECOVERY DIODE, IGBT - 650 V 70 A 273 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: KBL404
Бренд: EIC SEMICONDUCTOR
Описание: STD 4A, CASE TYPE: KBL, Bridge Rectifier Single Phase Standard 400 V Through Hole KBL
Подробнее
Артикул: FDD8647L
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK, N-Channel 40 V 14A (Ta), 42A (Tc) 3.1W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: MRFE6S9130HSR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 66V 880MHZ NI-780S, RF Mosfet LDMOS 28 V 950 mA 880MHz 19.2dB 27W NI-780S
Подробнее