г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SQJ570EP-T1_GE3 VISHAY

Артикул
SQJ570EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8, Mosfet Array N and P-Channel 100V 15A (Tc), 9.5A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Цена
198 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/SQJ570EP-T1_GE3.jpg
3,000
Surface Mount
27W
N and P-Channel
100V
15A (Tc), 9.5A (Tc)
45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
2.5V @ 250µA
650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Standard
SQJ570EP-T1_GE3CT,SQJ570EP-T1_GE3TR,SQJ570EP-T1_GE3DKR
8541.29.0095
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
PowerPAK® SO-8 Dual
PowerPAK® SO-8 Dual
SQJ570
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
20nC @ 10V, 15nC @ 10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FSB619
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 50V 2A SSOT-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 2 A 100MHz 500 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: LCV-25
Бренд: ABB Power Electronics
Описание: SC LCV25 GANGBLE SWTCH BX 10.5C,
Подробнее
Артикул: AUIRFZ48Z
Бренд: International Rectifier
Описание: MOSFET N-CH 55V 61A TO220, N-Channel 55 V 61A (Tc) 91W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: STTH2R06U
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 600V 2A SMB, Diode Standard 600 V 2A Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: SPP20N60S5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HIGH POWER_LEGACY, N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: BAR64-03WE6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BAR64 - PIN DIODE, RF Diode
Подробнее