г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SQJQ910EL-T1_GE3 VISHAY

Артикул
SQJQ910EL-T1_GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
Цена
436 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/SQJQ910EL-T1_GE3.jpg
2,000
Surface Mount
187W
2 N-Channel (Dual)
100V
70A (Tc)
8.6mOhm @ 10A, 10V
2.5V @ 250µA
2832pF @ 50V
Standard
SQJQ910EL-T1_GE3DKR,SQJQ910EL-T1_GE3-ND,SQJQ910EL-T1_GE3TR,SQJQ910EL-T1_GE3CT
8541.29.0095
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
PowerPAK® 8 x 8 Dual
PowerPAK® 8 x 8 Dual
SQJQ910
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
58nC @ 10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N5222B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35, Zener Diode 2.5 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: FGH40T120SMD
Бренд: onsemi
Описание: IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 555 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: A2G22S251-01SR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, RF Mosfet LDMOS 48 V 200 mA 1.805GHz ~ 2.2GHz 17.7dB 52dBm NI-400S-2S
Подробнее
Артикул: IRFZ14
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB, N-Channel 60 V 10A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 1299-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL3/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.500" (38.10mm) 1 1/2" -
Подробнее
Артикул: IRF8910PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее