г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SQS401EN-T1_GE3 VISHAY

Артикул
SQS401EN-T1_GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8, P-Channel 40 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Цена
320 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SQS401EN-T1_GE3.jpg
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
40 V
16A (Tc)
4.5V, 10V
29mOhm @ 12A, 10V
2.5V @ 250µA
21.2 nC @ 4.5 V
±20V
1875 pF @ 20 V
-
3,000
SQS401EN-T1_GE3DKR,SQS401EN-T1_GE3TR,SQS401EN-T1-GE3-ND,SQS401EN-T1_GE3CT,SQS401EN-T1-GE3
8541.29.0095
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SQS401
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
62.5W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MS2212
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M222, RF Transistor NPN 55V 1.8A 960MHz ~ 1.215GHz 50W Chassis Mount M222
Подробнее
Артикул: 1N5403
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD, Diode Standard 300 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: FCP190N65F
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2, N-Channel 650 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IXBT42N170
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1700V 80A 360W TO268, IGBT - 1700 V 80 A 360 W Surface Mount TO-268AA
Подробнее
Артикул: 1N5382B
Бренд: Microsemi
Описание: DIODE ZENER 140V 5W T18, Zener Diode 140 V 5 W ±5% Through Hole T-18
Подробнее
Артикул: GW-7552
Бренд: ICP DAS
Описание: PROFIBUS / MODBUS GATEWAY,
Подробнее