г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SQS415ENW-T1_GE3 VISHAY

Артикул
SQS415ENW-T1_GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W, P-Channel 40 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
Цена
176 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SQS415ENW-T1_GE3.jpg
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
40 V
16A (Tc)
4.5V, 10V
16.1mOhm @ 12A, 10V
2.5V @ 250µA
82 nC @ 10 V
±20V
4825 pF @ 25 V
-
3,000
SQS415ENW-T1_GE3TR,SQS415ENW-T1_GE3CT,SQS415ENW-T1_GE3DKR
8541.29.0095
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® 1212-8W
PowerPAK® 1212-8W
SQS415
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
62.5W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 356-ACS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .156,L= 1.00,W= .013,
Подробнее
Артикул: BC32725
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 45V 0.8A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: VS-8ETU12HN3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC, Diode Standard 1200 V 8A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: CPV363M4K
Бренд: VISHAY
Описание: IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2, IGBT Module - Three Phase Inverter 600 V 11 A 36 W Through Hole IMS-2
Подробнее
Артикул: STTH2003CG-TR
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE ARRAY GP 300V 10A D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 300 V 10A Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее
Артикул: 1N4007-T
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41, Diode Standard 1000 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее