г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SSS10N60B Fairchild Semiconductor

Артикул
SSS10N60B
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 600 V 9A (Tj) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Цена
122 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/SSS10N60B.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
600 V
9A (Tj)
10V
800mOhm @ 4.5A, 10V
4V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±30V
2700 pF @ 25 V
-
TO-220F-3
1 (Unlimited)
REACH Affected
-
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
FAIFSCSSS10N60B,2156-SSS10N60B
1
50W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: RU 3MV
Бренд: Sanken
Описание: DIODE GEN PURP 400V 1.5A AXIAL, Diode Standard 400 V 1.5A Through Hole -
Подробнее
Артикул: IRF60R217
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 58A DPAK, N-Channel 60 V 58A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее
Артикул: 1406-12-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/8 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.000" (25.40mm) 1" -
Подробнее
Артикул: IRG4PF50WDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 900V 51A 200W TO247AC, IGBT - 900 V 51 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: STP165N10F4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB, N-Channel 100 V 120A (Tc) 315W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: MCL-18-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 18 MM ALUMINUM SHAFT COLLAR,
Подробнее