г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

ST8812FX STMicroelectronics

Артикул
ST8812FX
Бренд
STMicroelectronics
Описание
TRANS NPN 600V 7A ISOWATT218FX, Bipolar (BJT) Transistor NPN 600 V 7 A - 50 W Through Hole ISOWATT-218FX
Цена
284 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/ST8812FX.jpg
REACH Unaffected
497-12232,-497-12232
ST8812
50 W
NPN
7 A
600 V
3V @ 800mA, 4A
1mA
4.5 @ 5A, 5V
30
8541.29.0095
-
Tube
Obsolete
150°C (TJ)
Through Hole
ISOWATT218FX
ISOWATT-218FX
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MMDT3904Q-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Подробнее
Артикул: FR202G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE FAST REC 2A 100V DO-15, Diode Standard 100 V 2A Through Hole DO-204AC (DO-15)
Подробнее
Артикул: 1230-8-S-12
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERCLEAR ZINC1/2 RD X 1, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.063" (27.00mm) 1 1/16" Clear
Подробнее
Артикул: 1N4737A
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 7.5 V 1W DO-41G, Zener Diode 7.5 V 1 W ±5% Through Hole DO-41G
Подробнее
Артикул: IRGB4715DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V TO-220AB, IGBT - 650 V 21 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IXBH12N300
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 3000V 30A 160W TO247, IGBT - 3000 V 30 A 160 W Through Hole TO-247AD
Подробнее