г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

STF30NM60N STMicroelectronics

Артикул
STF30NM60N
Бренд
STMicroelectronics
Описание
MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP, N-Channel 600 V 25A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/STF30NM60N.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
600 V
25A (Tc)
10V
130mOhm @ 12.5A, 10V
4V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±30V
2700 pF @ 50 V
-
STF30N
REACH Unaffected
50
MDmesh™ II
Tube
Obsolete
150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
TO-220FP
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
40W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2ED300C17STROHSBPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1700V 30A, IGBT Module - 2 Independent 1700 V Through Hole Module
Подробнее
Артикул: 1459-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS5/8 HEX X 7, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.438" (11.13mm) 7/16" -
Подробнее
Артикул: BSP299H6327XUSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4, N-Channel 500 V 400mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: MPSA06
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 80V 500MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 2N6039
Бренд: onsemi
Описание: TRANS DARL NPN 4A 80V TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A - 40 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: TIP115
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 25MHz Through Hole TO-220-3
Подробнее