г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

STGB20NC60V STMicroelectronics

Артикул
STGB20NC60V
Бренд
STMicroelectronics
Описание
IGBT 600V 60A 200W D2PAK, IGBT - 600 V 60 A 200 W Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/STGB20NC60V.jpg
STGB20
Standard
390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
200 W
60 A
600 V
-
100 A
2.5V @ 15V, 20A
220µJ (on), 330µJ (off)
100 nC
497-7008-6,497-7008-1,497-7008-2
REACH Unaffected
1,000
PowerMESH™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
D2PAK
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
31ns/100ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IXGH36N60B3C1
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 600V 75A 250W TO247, IGBT PT 600 V 75 A 250 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: BZX79-C7V5,113
Бренд: Nexperia
Описание: DIODE ZENER 7.5V 400MW ALF2, Zener Diode 7.5 V 400 mW ±5% Through Hole ALF2
Подробнее
Артикул: MJD117G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: AFV121KHR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: IC TRANS RF LDMOS, RF Mosfet LDMOS (Dual) 50 V 100 mA 960MHz ~ 1.22GHz 19.6dB 1000W NI-1230-4H
Подробнее
Артикул: IPW60R190E6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IPW60R190 - 600V COOLMOS N-CHANN, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: MMBTH10-4LT1G
Бренд: onsemi
Описание: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 25V - 800MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее