г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

STGP10NC60HD STMicroelectronics

Артикул
STGP10NC60HD
Бренд
STMicroelectronics
Описание
IGBT 600V 20A 65W TO220, IGBT - 600 V 20 A 65 W Through Hole TO-220
Цена
272 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/STGP10NC60HD.jpg
STGP10
Standard
390V, 5A, 10Ohm, 15V
65 W
20 A
600 V
-
30 A
2.5V @ 15V, 5A
31.8µJ (on), 95µJ (off)
19.2 nC
14.2ns/72ns
497-5118-5
REACH Unaffected
PowerMESH™
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
TO-220
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
50
22 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BD679G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A - 40 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: DTC144EMT2L
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 30 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Подробнее
Артикул: 1SNA114776R2300
Бренд: TE Connectivity
Описание: FEM61,
Подробнее
Артикул: SIZ342DT-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15.7A (Ta), 100A (Tc) 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Подробнее
Артикул: P2000B
Бренд: DComponents
Описание: ST Rect, 100V, 20A, Diode Standard 100 V 20A Through Hole P600
Подробнее
Артикул: MUR4100E
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 4A DO201AD, Diode Standard 1000 V 4A Through Hole Axial
Подробнее