г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

STGWT80H65FB STMicroelectronics

Артикул
STGWT80H65FB
Бренд
STMicroelectronics
Описание
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L, IGBT Trench Field Stop 650 V 120 A 469 W Through Hole TO-3P
Цена
1 090 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/STGWT80H65FB.jpg
STGWT80
Standard
400V, 80A, 10Ohm, 15V
469 W
120 A
650 V
Trench Field Stop
240 A
2V @ 15V, 80A
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
414 nC
497-15141-5,-497-15141-5
REACH Unaffected
30
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 175°C (TJ)
Through Hole
TO-3P-3, SC-65-3
TO-3P
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
84ns/280ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BAT760-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323, Diode Schottky 30 V 1A Surface Mount SOD-323
Подробнее
Артикул: IXGN400N60B3
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MOD 600V 430A 1000W SOT227B, IGBT Module PT Single 600 V 430 A 1000 W Chassis Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: SSP2N60B
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 600 V 2A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2N5794
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 600mA - 600mW Through Hole TO-78-6
Подробнее
Артикул: IRF300P226
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC, N-Channel 300 V 100A (Tc) 556W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 1182-4-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN ALUMINUM5/16 R, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 1.938" (49.21mm) -
Подробнее