г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

STGY40NC60VD STMicroelectronics

Артикул
STGY40NC60VD
Бренд
STMicroelectronics
Описание
IGBT 600V 80A 260W MAX247, IGBT - 600 V 80 A 260 W Through Hole MAX247™
Цена
2 008 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/STGY40NC60VD.jpg
STGY40
Standard
390V, 40A, 3.3Ohm, 15V
260 W
80 A
600 V
-
2.5V @ 15V, 40A
330µJ (on), 720µJ (off)
214 nC
43ns/140ns
497-6736-5,STGY40NC60VD-ND
REACH Unaffected
30
PowerMESH™
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
MAX247™
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
44 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: KT1003
Бренд: Bantam Tools
Описание: STAMP MAKING KIT,
Подробнее
Артикул: MSP-20-AN
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 20 MM ANO ALUM SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: DMP2160UFDB-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.8A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
Подробнее
Артикул: TIP35C
Бренд: Central Semiconductor
Описание: TRANS GENERAL PURPOSE TO-218, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: BY203-16STAP
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE AVALANCH 1.2KV 250MA SOD57, Diode Avalanche 1200 V 250mA (DC) Through Hole SOD-57
Подробнее
Артикул: MRF7S18170HR3
Бренд: Freescale Semiconductor
Описание: RF L BAND, N-CHANNEL, RF Mosfet LDMOS 28 V 1.4 A 1.805GHz ~ 1.88GHz 17.5dB 50W NI-880H-2L
Подробнее