г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

STP11NM80 STMicroelectronics

Артикул
STP11NM80
Бренд
STMicroelectronics
Описание
MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB, N-Channel 800 V 11A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Цена
1 159 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/STP11NM80.jpg
STP11
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
800 V
11A (Tc)
10V
400mOhm @ 5.5A, 10V
5V @ 250µA
43.6 nC @ 10 V
±30V
1630 pF @ 25 V
-
497-4369-5
REACH Unaffected
MDmesh™
Tube
Active
-65°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
TO-220
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
50
150W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BAS 40 B5003
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3, Diode Schottky 40 V 120mA (DC) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRG4BC30FD-SPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N, IGBT - 600 V 31 A 100 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPG20N06S4L26AATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 33W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Подробнее
Артикул: IRG4BC30K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 28A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 28 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 2SA1345
Бренд: onsemi
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: 7140-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: THUMBSCREWPLAIN BRASS1/2 HD X 5/, 1/4"-20 Knob Thumb Screw - Drive Brass
Подробнее