г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

STP310N10F7 STMicroelectronics

Артикул
STP310N10F7
Бренд
STMicroelectronics
Описание
MOSFET N CH 100V 180A TO-220, N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Through Hole TO-220
Цена
841 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/STP310N10F7.jpg
STP310
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
100 V
180A (Tc)
10V
2.7mOhm @ 60A, 10V
3.8V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
12800 pF @ 25 V
-
497-13233-5
REACH Unaffected
DeepGATE™, STripFET™ VII
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
TO-220
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
50
315W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DTA143XMT2L
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Подробнее
Артикул: 1223-12-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS1/2 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.625" (15.88mm) 5/8" -
Подробнее
Артикул: TSM160P04LCRHRLG
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN, P-Channel 40 V 51A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IXDH20N120
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1200V 38A 200W TO247AD, IGBT NPT 1200 V 38 A 200 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: 2N4900
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: 1464-25-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS5/8 HEX X 3, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.750" (19.05mm) 3/4" -
Подробнее