г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

STP6NK60Z STMicroelectronics

Артикул
STP6NK60Z
Бренд
STMicroelectronics
Описание
MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB, N-Channel 600 V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Цена
372 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/STP6NK60Z.jpg
STP6NK60
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
600 V
6A (Tc)
10V
1.2Ohm @ 3A, 10V
4.5V @ 100µA
46 nC @ 10 V
±30V
905 pF @ 25 V
-
497-3198-5-NDR,497-3198-5
REACH Unaffected
SuperMESH™
Tube
Not For New Designs
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
TO-220
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
50
110W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1532-E-4-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.188" (4.78mm) 3/16" -
Подробнее
Артикул: FGH40T100SMD
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1000V 80A 333W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1000 V 80 A 333 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: RGP10K
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41, Diode Standard 800 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: BCP5616TC
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 80V 1A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 125MHz 2 W Surface Mount SOT-223-3
Подробнее
Артикул: IPB017N08N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK, N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: 1566-D-2-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.438" (11.13mm) 7/16" -
Подробнее