г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

STP8NM60 STMicroelectronics

Артикул
STP8NM60
Бренд
STMicroelectronics
Описание
MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB, N-Channel 650 V 8A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Цена
1 132 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/STP8NM60.jpg
STP8N
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
650 V
8A (Tc)
10V
1Ohm @ 2.5A, 10V
5V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±30V
400 pF @ 25 V
-
1026-STP8NM60,497-5397-5,STP8NM60-ND
REACH Unaffected
MDmesh™
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
TO-220
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
50
100W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IXYN50N170CV1
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1700V 120A SOT227B, IGBT - 1700 V 120 A 880 W Chassis Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: MCL103B
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: SCHOTTKY SOD-106 30V 0.2A, Diode Schottky 30 V 350mA Surface Mount MicroMelf
Подробнее
Артикул: TIP106
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 8 A 4MHz 80 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IKW15N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 30 A 217 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: MRFE6VP5600HR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230, RF Mosfet LDMOS (Dual) 50 V 100 mA 230MHz 25dB 600W NI-1230-4H
Подробнее
Артикул: CSD17313Q2Q1
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON, N-Channel 30 V 5A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount 6-WSON (2x2)
Подробнее