г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

STTH6006W STMicroelectronics

Артикул
STTH6006W
Бренд
STMicroelectronics
Описание
DIODE GEN PURP 600V 60A DO247, Diode Standard 600 V 60A Through Hole DO-247
Цена
908 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/STTH6006W.jpg
497-7599-5,STTH6006W-ND
STTH6006
Fast Recovery = 200mA (Io)
Standard
600 V
60A
1.85 V @ 60 A
50 µA @ 600 V
-
175°C (Max)
REACH Unaffected
30
-
Tube
Active
Through Hole
DO-247-2 (Straight Leads)
DO-247
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.10.0080
85 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDA032N08
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN, N-Channel 75 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: MBR735
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220AC, Diode Schottky 35 V 7.5A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: FSV12150V
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 150V 12A TO277-3, Diode Schottky 150 V 12A Surface Mount TO-277-3
Подробнее
Артикул: 1424-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS1/2 HEX X 3, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.188" (4.78mm) 3/16" -
Подробнее
Артикул: DTC114ECAHZGT116
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100 mA 250 MHz 350 mW Surface Mount SST3
Подробнее
Артикул: IHW20N120R2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 40A 330W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 40 A 330 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее