г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

STW26NM60N STMicroelectronics

Артикул
STW26NM60N
Бренд
STMicroelectronics
Описание
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3, N-Channel 600 V 20A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-247-3
Цена
1 230 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/STW26NM60N.jpg
STW26
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
600 V
20A (Tc)
10V
165mOhm @ 10A, 10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 50 V
-
497-9066-5
REACH Unaffected
MDmesh™ II
Tube
Active
150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
TO-247-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
30
140W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: GSD-750
Бренд: WEC
Описание: AUTO TRANSFORMER.STEP-DOWN.INPUT,
Подробнее
Артикул: FCH041N60F
Бренд: onsemi
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7, N-Channel 600 V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: 1N4002-E3/54
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL, Diode Standard 100 V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: 2N4234
Бренд: Microchip Technology
Описание: PNP POWER AMPLIFIER SILICON TRAN, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 1 mA - 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Подробнее
Артикул: NVBG020N120SC1
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK, N-Channel 1200 V 8.6A (Ta), 98A (Tc) 3.7W (Ta), 468W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Подробнее
Артикул: VS-26MT80
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 3PHASE 800V 25A D-63, Bridge Rectifier Three Phase Standard 800 V QC Terminal D-63
Подробнее