г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

STW28NK60Z STMicroelectronics

Артикул
STW28NK60Z
Бренд
STMicroelectronics
Описание
MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3, N-Channel 600 V 27A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/STW28NK60Z.jpg
STW28N
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
600 V
27A (Tc)
10V
185mOhm @ 13.5A, 10V
4.5V @ 150µA
264 nC @ 10 V
±30V
6350 pF @ 25 V
-
497-4424-5
REACH Unaffected
SuperMESH™
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
TO-247-3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
30
350W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FSBB10CH120D
Бренд: onsemi
Описание: MODULE SPM 1.2V 10A 27PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 1.2 kV 10 A 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Подробнее
Артикул: FF150R12YT3BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 200A 625W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 200 A 625 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BSC600N25NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1, N-Channel 250 V 25A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: GBPC2502W
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 200 V Through Hole GBPC-W
Подробнее
Артикул: 1N4150
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35, Diode Standard 50 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: GBPC12005
Бренд: onsemi
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 12A GBPC, Bridge Rectifier Single Phase Standard 50 V QC Terminal GBPC
Подробнее