г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TA9210D Tagore Technology

Артикул
TA9210D
Бренд
Tagore Technology
Описание
PA RF GAN PWR 12.5W .03-4GHZ 32V, RF Mosfet GaN HEMT 32 V 50 mA 30MHz ~ 4GHz 18dB 12.5W
Цена
8 264 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
files/TA9210D.jpg
120 V
700mA
30MHz ~ 4GHz
12.5W
GaN HEMT
18dB
-
50 mA
1
2713-TA9210D,-2715-TA9210D
-
Tray
Active
TA9210
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
5A991G
8542.33.0001
32 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: VS-20ETF12SPBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK, Diode Standard 1200 V 20A Surface Mount TO-263AB (D?PAK)
Подробнее
Артикул: GBPC3506
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A GBPC, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V QC Terminal GBPC
Подробнее
Артикул: 1250-8-SS
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STAINLESS STEE, Round Spacer Unthreaded - Stainless Steel 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: BZX85C2V7
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 2.7V 1.3W DO-41, Zener Diode 2.7 V 1.3 W ±5% Through Hole DO-41G
Подробнее
Артикул: RU1J002YNTCL
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F, N-Channel 50 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F
Подробнее
Артикул: BS-1500
Бренд: Wakefield-Vette
Описание: ALVES ZERO BACKLASH U-JOINT,
Подробнее