г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TIP112 NTE Electronics

Артикул
TIP112
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A - 2 W Through Hole TO-220
Цена
179 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/TIP112.jpg
TO-220
2 W
100 V
2 A
NPN - Darlington
2.5V @ 8mA, 2A
2mA
1000 @ 1A, 4V
TO-220-3
1
2368-TIP112
-
Bag
Active
Through Hole
150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 30TPS12
Бренд: VISHAY
Описание: SCR 1.2KV 30A TO247AC, SCR 1.2 kV 30 A Standard Recovery Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: MMSZ5248BT1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 18V 500MW SOD123, Zener Diode 18 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: BSM50GB170DN2HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1700V 72A 500W, IGBT Module - Half Bridge 1700 V 72 A 500 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: 1330-4-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN ALUMINUM1/4 HEX, Hex Spacer Unthreaded - Aluminum 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее
Артикул: BUZ80A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB, N-Channel 800 V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSC123N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON, N-Channel 80 V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее