г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TIP122 STMicroelectronics

Артикул
TIP122
Бренд
STMicroelectronics
Описание
TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 5 A - 2 W Through Hole TO-220
Цена
129 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/TIP122.jpg
REACH Unaffected
497-2543-5,497-2543-5-NDR,-497-2543-5
TIP122
2 W
NPN - Darlington
5 A
100 V
4V @ 20mA, 5A
500µA
1000 @ 3A, 3V
50
8541.29.0095
-
Tube
Active
150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
TO-220
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1435-12-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN ALUMINUM1/2 HEX, Hex Spacer Unthreaded - Aluminum 0.875" (22.23mm) 7/8" -
Подробнее
Артикул: VS-25CTQ045SPBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45 V 15A Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее
Артикул: FPAM50LH60
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: PFC SPM 2 SERIES FOR 2-PHASE INT, Power Driver Module IGBT 2 Phase 600 V 50 A 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
Подробнее
Артикул: IXGH10N300
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 3000V 18A 100W TO247AD, IGBT - 3000 V 18 A 100 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: MRFE6P3300HR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 66V 863MHZ NI-860C3, RF Mosfet LDMOS 32 V 1.6 A 857MHz ~ 863MHz 20.4dB 270W NI-860C3
Подробнее
Артикул: IXGQ50N60B4D1
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 600V 100A 300W TO3P, IGBT PT 600 V 100 A 300 W Through Hole TO-3P
Подробнее