г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TIP141 NTE Electronics

Артикул
TIP141
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 10 A - 125 W Through Hole TO-218
Цена
441 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/TIP141.jpg
TO-218
125 W
80 V
10 A
NPN
-
-
1000 @ 5A, 4V
TO-218-3
1
2368-TIP141
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MRFE6VP8600HSR6
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S, RF Mosfet LDMOS (Dual) 50 V 1.4 A 860MHz 19.3dB 125W NI-1230S
Подробнее
Артикул: MS1579
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 25V 860MHZ M156, RF Transistor NPN 25V 5.2A 470MHz ~ 860MHz 65W Chassis Mount M156
Подробнее
Артикул: K-1104
Бренд: Panduit
Описание: KIT TERMINAL STEEL W/CRIMP TOOL, Connector Kit Termination
Подробнее
Артикул: AUIRF2804L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO262, N-Channel 40 V 195A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: DDTC114EUA-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: 1N4004
Бренд: NTE Electronics
Описание: R-SI 400V 1A, Diode Standard 400 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее