г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TIP141 NTE Electronics

Артикул
TIP141
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-NPN SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 10 A - 125 W Through Hole TO-218
Цена
441 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/TIP141.jpg
TO-218
125 W
80 V
10 A
NPN
-
-
1000 @ 5A, 4V
TO-218-3
1
2368-TIP141
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 30-16-BLK
Бренд: Grayhill
Описание: PUSHBTN SWITCH,
Подробнее
Артикул: BD-ACD-10AX1152B
Бренд: Intel
Описание: BOARD PAC PCIE HPC ARRIA 10FPGA,
Подробнее
Артикул: 1N6309
Бренд: Solid State
Описание: DO 35 1/2 WATT ZENER DIODE, Zener Diode 2.4 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: BLF2425M9LS30U
Бренд: Ampleon
Описание: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135B, RF Mosfet LDMOS 32 V 20 mA 2.45GHz 18.5dB 30W CDFM2
Подробнее
Артикул: V2PM10HM3/H
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 2A MICROSMP, Diode Schottky 100 V 2A Surface Mount MicroSMP (DO-219AD)
Подробнее
Артикул: IXGP16N60B2D1
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 600V 40A 150W TO220, IGBT PT 600 V 40 A 150 W Through Hole TO-220-3
Подробнее