г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TIP146 NTE Electronics

Артикул
TIP146
Бренд
NTE Electronics
Описание
T-PNP SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 10 A - 125 W Through Hole TO-218
Цена
468 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/TIP146.jpg
TO-218
125 W
80 V
10 A
PNP
-
-
1000 @ 5A, 4V
TO-218-3
1
2368-TIP146
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2837-G
Бренд: Davies Molding
Описание: KNOB 4 ARM 5/16"-18 POLYPRO, 4 Arm Knob 5/16"-18 Shaft with No Indicator Polypropylene Black
Подробнее
Артикул: 1434-10-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/2 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.813" (20.65mm) 13/16" -
Подробнее
Артикул: FQT5P10TF
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4, P-Channel 100 V 1A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Подробнее
Артикул: FCPF11N60T
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: 11A, 600V, 0.38OHM, N-CHANNEL,, N-Channel 600 V 11A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220F
Подробнее
Артикул: IRF6644TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET, N-Channel 100 V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Подробнее
Артикул: A2I25H060GNR1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: IC TRANS RF LDMOS, RF Mosfet LDMOS (Dual) 28 V 26 mA 2.59GHz 26.1dB 10.5W TO-270WBG-17
Подробнее