г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TIP36B NTE Electronics

Артикул
TIP36B
Бренд
NTE Electronics
Описание
TRANS PNP 80V 25A TO218, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-218
Цена
579 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/TIP36B.jpg
TO-218
125 W
80 V
25 A
PNP
-
-
10 @ 15A, 4V
TO-218-3
1
2368-TIP36B
-
Bag
Active
Through Hole
-65°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
3MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: HGTP7N60B3D
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: N-CHANNEL IGBT, IGBT - 600 V 14 A 60 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1551-D-3-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN BRASS3/16, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.438" (11.13mm) 7/16" -
Подробнее
Артикул: BDV65B
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A - 125 W Through Hole SOT-93
Подробнее
Артикул: SPB-18-ST
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 1-1/8" STAINLESS SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: TSM60NB1R4CH C5G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251, N-Channel 600 V 3A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Подробнее
Артикул: SBR1U200P1-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SBR 200V 1A POWERDI123, Diode Super Barrier 200 V 1A Surface Mount PowerDI™ 123
Подробнее