г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TN6718A onsemi

Артикул
TN6718A
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN 100V 1.2A TO-226, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 1.2 A - 1 W Through Hole TO-226-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/TN6718A.jpg
TN6718
TO-226-3
NPN
1.2 A
100 V
500mV @ 10mA, 250mA
100nA (ICBO)
50 @ 250mA, 1V
1 W
1,500
8541.29.0095
-
Bulk
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IDS-3221WR-25FHA1E
Бренд: Advantech
Описание:

PANEL MOUNT MONITOR,

Подробнее
Артикул: GBPC3502
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 35A GBPC, Bridge Rectifier Single Phase Standard 200 V QC Terminal GBPC
Подробнее
Артикул: GBPC2502W
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 200 V Through Hole GBPC-W
Подробнее
Артикул: SVD2955T4G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK, P-Channel 60 V 12A (Ta) 55W (Tj) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: IRG4BC30UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 1N825A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35, Zener Diode 6.2 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее