г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TP65H015G5WS Transphorm

Артикул
TP65H015G5WS
Бренд
Transphorm
Описание
650 V 95 A GAN FET, N-Channel 650 V 93A (Tc) 266W (Tc) Through Hole TO-247-3
Цена
5 386 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
SuperGaN™
N-Channel
650 V
93A (Tc)
10V
18mOhm @ 60A, 10V
4.8V @ 2mA
100 nC @ 10 V
±20V
5218 pF @ 400 V
-
GaNFET (Gallium Nitride)
TO-247-3
TO-247-3
Tube
Active
Through Hole
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
1707-TP65H015G5WS
30
-55°C ~ 150°C (TJ)
Warning Information
266W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FQP11P06
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 60V 11.4A TO220-3, P-Channel 60 V 11.4A (Tc) 53W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: SIRA10DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8, N-Channel 30 V 60A (Tc) 5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: 1267-8-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS5/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.438" (36.53mm) 1 7/16" -
Подробнее
Артикул: PN2222ATA
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 1 A 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: STGP8NC60KD
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 15A 65W TO220, IGBT - 600 V 15 A 65 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: MPSA65
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DARL 30V 1.2A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30 V 1.2 A 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее