г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TP65H035G4WS Transphorm

Артикул
TP65H035G4WS
Бренд
Transphorm
Описание
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3, N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3
Цена
3 040 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
-
N-Channel
650 V
46.5A (Tc)
10V
41mOhm @ 30A, 10V
4.8V @ 1mA
22 nC @ 0 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
TO-247-3
1 (Unlimited)
Tube
Active
-55°C ~ 150°C
Through Hole
TO-247-3
EAR99
8541.29.0095
1707-TP65H035G4WS
30
TP65H035
156W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1173-10-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 5/16 RD X 1 3/8 X .192 ID, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.375" (34.93mm) -
Подробнее
Артикул: 1N3070
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: RECTIFIER DIODE, Diode Standard 200 V 500mA Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее
Артикул: MPSH34
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 40V 0.05A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 50 mA 500MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: IPD95R2K0P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3, N-Channel 950 V 4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: FPG-CAN-M
Бренд: Panasonic
Описание: COMMUNICATIONS MODULE, Communications Module Backplane -
Подробнее
Артикул: BDV64BG
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DARL 100V 10A TO247, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 10 A - 125 W Through Hole TO-247-3
Подробнее