г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TP65H035WS Transphorm

Артикул
TP65H035WS
Бренд
Transphorm
Описание
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3, N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3
Цена
3 529 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/TP65H035WS.jpg
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
N-Channel
650 V
46.5A (Tc)
12V
41mOhm @ 30A, 10V
4.8V @ 1mA
36 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
Warning Information
TO-247-3
TO-247-3
-
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
TP65H035
RoHS Compliant
3 (168 Hours)
EAR99
8541.29.0095
30
156W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: CZRQR52C3V3-HF
Бренд: Comchip Technology
Описание: DIODE ZENER 3.3V 125MW 0402, Zener Diode 3.3 V 125 mW ±5% Surface Mount 0402
Подробнее
Артикул: IRLR3105PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK, N-Channel 55 V 25A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: 2N5885
Бренд: Solid State
Описание: TO 3 25 AMP SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 25 A 4MHz 200 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: BC848AMTF
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 300MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: ZTX605
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN DARL 120V 1A E-LINE, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 1 A 150MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Подробнее
Артикул: PM150CSD120
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM 6PAC 1200V 150A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 1.2 kV 150 A Power Module
Подробнее