г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TP65H035WS Transphorm

Артикул
TP65H035WS
Бренд
Transphorm
Описание
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3, N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3
Цена
3 529 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/TP65H035WS.jpg
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
N-Channel
650 V
46.5A (Tc)
12V
41mOhm @ 30A, 10V
4.8V @ 1mA
36 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
Warning Information
TO-247-3
TO-247-3
-
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
TP65H035
RoHS Compliant
3 (168 Hours)
EAR99
8541.29.0095
30
156W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STW25N80K5
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247, N-Channel 800 V 19.5A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: MMBT3904-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 40V 0.2A SMD SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: MBRF2060CT-I
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY 60V 10A ITO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60 V 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Подробнее
Артикул: FDPF12N50UT
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F, N-Channel 500 V 10A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: AR2502
Бренд: EIC SEMICONDUCTOR
Описание: DIODE GEN PURP 200V 25A MICRODE, Diode Standard 200 V 25A Surface Mount Microde Button
Подробнее
Артикул: STTH12R06G-TR
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 600V 12A D2PAK, Diode Standard 600 V 12A Surface Mount D2PAK
Подробнее