г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TP65H070LDG Transphorm

Артикул
TP65H070LDG
Бренд
Transphorm
Описание
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN, N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Цена
2 236 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/TP65H070LDG.jpg
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
N-Channel
650 V
25A (Tc)
10V
85mOhm @ 16A, 10V
4.8V @ 700µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 400 V
-
Warning Information
3-PQFN (8x8)
TP65H070L
Tube
Active
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
TP65H070
3 (168 Hours)
EAR99
8541.29.0095
60
3-PowerDFN
96W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BLP10H610Z
Бренд: Ampleon
Описание: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN, RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50 V 60 mA 860MHz 22dB 10W 12-HVSON (6x5)
Подробнее
Артикул: IXTY48P05T
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET P-CH 50V 48A TO252, P-Channel 50 V 48A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: NJL0281DG
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 260V 15A TO-264, Bipolar (BJT) Transistor NPN 260 V 15 A 30MHz 180 W Through Hole TO-264
Подробнее
Артикул: IRAMX16UP60B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 16A 23PWRSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 16 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: STP140NF55
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB, N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: L4004L3
Бренд: Littelfuse
Описание: TRIAC SENS GATE 400V 4A TO220, TRIAC Logic - Sensitive Gate 400 V 4 A Through Hole TO-220 Isolated Tab
Подробнее