г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TPH3207WS Transphorm

Артикул
TPH3207WS
Бренд
Transphorm
Описание
GANFET N-CH 650V 50A TO247-3, N-Channel 650 V 50A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3
Цена
5 718 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/TPH3207WS.jpg
GaNFET (Gallium Nitride)
N-Channel
650 V
50A (Tc)
10V
41mOhm @ 32A, 8V
2.65V @ 700µA
42 nC @ 8 V
±18V
2197 pF @ 400 V
-
Warning Information
TO-247-3
-
Tube
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
30
TO-247-3
178W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPW60R041C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 600V, 0.041OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Подробнее
Артикул: SUM70101EL-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 100V 120A TO263, P-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D?Pak)
Подробнее
Артикул: NTE199
Бренд: NTE Electronics
Описание: NPN SI LOW NOISE HIGH GAIN TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 100 mA - 360 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: STTH1R06
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41, Diode Standard 600 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: I-52CS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .687,L= .75,W= .092,
Подробнее
Артикул: FT140
Бренд: Excelitas Technologies
Описание: FIXED TUBE, 140,
Подробнее