г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

UES1302 Solid State

Артикул
UES1302
Бренд
Solid State
Описание
G-4 6 AMP HIGH EFFICIENCY RECTI, Diode Standard 100 V 6A Through Hole Axial
Цена
677 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/UES1302.jpg
Standard
100 V
6A
925 mV @ 6 A
Fast Recovery = 200mA (Io)
30 ns
5 µA @ 100 V
-
-55°C ~ 175°C
Axial
Axial
10
-
Bulk
Active
Through Hole
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.10.0080
2383-UES1302
Vendor Undefined

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFP31N50L
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3, N-Channel 500 V 31A (Tc) 460W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: S215FA
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 150V 2A SOD123FA, Diode Schottky 150 V 2A Surface Mount SOD-123FA
Подробнее
Артикул: FQP10N60C
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-3, N-Channel 600 V 9.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2N3819
Бренд: onsemi
Описание: JFET N-CH 25V 100MA TO92, RF Mosfet N-Channel JFET - - - TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: AUIRF7342Q
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: TIP140
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 10 A - 125 W Through Hole TO-218
Подробнее