г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

UGE0221AY4 IXYS

Артикул
UGE0221AY4
Бренд
IXYS
Описание
DIODE GEN PURP 4.8KV 10.2A UGE, Diode Standard 4800 V 10.2A Chassis Mount UGE
Цена
15 384 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
-
REACH Unaffected
2 mA @ 4800 V
4.8 V @ 30 A
Standard
4800 V
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
10.2A
-
UGE
1 (Unlimited)
ROHS3 Compliant
Bulk
Active
Chassis Mount
UGE
EAR99
8541.10.0080
6
UGE0221
Warning Information

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: JT-007
Бренд: ECG
Описание: DEFLECTOR FOR J-1000,
Подробнее
Артикул: MBR3045PT
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V SOT93, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45 V 15A Through Hole TO-218-3
Подробнее
Артикул: 1560F
Бренд: Keystone Electronics
Описание: ROUND STANDOFF #4-40 BRASS 1/8", Round Standoff Threaded #4-40 Brass 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее
Артикул: BC858CW
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: BJT SOT-323 30V 100MA, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IXFB30N120P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264, N-Channel 1200 V 30A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™
Подробнее
Артикул: FGA20S140P
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT Trench Field Stop 1400 V 40 A 272 W Through Hole TO-3PN
Подробнее