г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

UJ3D1202TS UnitedSiC

Артикул
UJ3D1202TS
Бренд
UnitedSiC
Описание
1200V 2A SIC SCHOTTKY DIODE G3,, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 2A (DC) Through Hole TO-220-2
Цена
453 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/UJ3D1202TS.jpg
TO-220-2
No Recovery Time > 500mA (Io)
Silicon Carbide Schottky
1200 V
2A (DC)
1.6 V @ 5 A
0 ns
22 µA @ 1200 V
109pF @ 1V, 1MHz
Not Applicable
UJ3D1202
REACH Unaffected
-
Tube
Active
Through Hole
TO-220-2
EAR99
8541.10.0080
2312-UJ3D1202TS
50
-55°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1352-2-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.500" (38.10mm) 1 1/2" -
Подробнее
Артикул: CL-8-FZ
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 1/2" ZINC STEEL SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: BC81725MTF
Бренд: onsemi
Описание: BC817 - NPN EPITAXIAL SILICON TR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: STL4P3LLH6
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT, P-Channel 30 V 4A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
Подробнее
Артикул: RTQ045N03TR
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6, N-Channel 30 V 4.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Подробнее
Артикул: IRGB30B60KPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 78A 370W TO220AB, IGBT NPT 600 V 78 A 370 W Through Hole TO-220AB
Подробнее