г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

UPA2816T1S-E2-AT Renesas

Артикул
UPA2816T1S-E2-AT
Бренд
Renesas
Описание
MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON, P-Channel 30 V 17A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
Цена
90 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
-
MOSFET (Metal Oxide)
17A (Tc)
1.5W (Ta)
P-Channel
1160 pF @ 10 V
30 V
4.5V, 10V
15.5mOhm @ 17A, 10V
-
33.4 nC @ 10 V
+20V, -25V
8-HWSON (3.3x3.3)
-1161-UPA2816T1S-E2-ATCT
UPA2816
Tape & Reel (TR)
Active
150°C (TJ)
Surface Mount
8-PowerWDFN
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
5,000
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STD110N8F6
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 80V 80A DPAK, N-Channel 80 V 80A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: 30CPQ200
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200 V - Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: SPA11N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: MRF6V12250HR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 100V 1.03GHZ NI-780, RF Mosfet LDMOS 50 V 100 mA 1.03GHz 20.3dB 275W NI-780H-2L
Подробнее
Артикул: BYG10M-E3/TR
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A, Diode Avalanche 1000 V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: PSMN2R8-40BS,118
Бренд: Nexperia
Описание: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK, N-Channel 40 V 100A (Tc) 211W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее