г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

US1G-E3/61T VISHAY

Артикул
US1G-E3/61T
Бренд
VISHAY
Описание
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC, Diode Standard 400 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Цена
88 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/US1G-E361T.jpg
US1G-E3/61TGITR,US1G-E3/61TGICT,US1G-E3/61TGIDKR,US1GE361T
1,800
Standard
400 V
1A
1 V @ 1 A
Fast Recovery = 200mA (Io)
10 µA @ 400 V
15pF @ 4V, 1MHz
-55°C ~ 150°C
8541.10.0080
EAR99
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
DO-214AC, SMA
DO-214AC (SMA)
US1
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
50 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1532-D-4-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.188" (4.78mm) 3/16" -
Подробнее
Артикул: IXBH42N170
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1700V 80A 360W TO247, IGBT - 1700 V 80 A 360 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: SI7113ADN-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK, P-Channel 100 V 10.8A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Подробнее
Артикул: 2N2897
Бренд: Solid State
Описание: TO 18 NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 1 A 100MHz 500 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: BSC100N06LS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON, N-Channel 60 V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: STB120NF10T4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK, N-Channel 100 V 110A (Tc) 312W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее