г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

VEC2616-TL-W onsemi

Артикул
VEC2616-TL-W
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8, Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2.5A 1W Surface Mount SOT-28FL/VEC8
Цена
155 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/VEC2616-TL-W.jpg
SOT-28FL/VEC8
1W
N and P-Channel
60V
3A, 2.5A
80mOhm @ 1.5A, 10V
2.6V @ 1mA
10nC @ 10V
505pF @ 20V
Logic Level Gate, 4V Drive
VEC2616-TL-WOSDKR,VEC2616-TL-WOSTR,VEC2616-TL-WOSCT,VEC2616-TL-W-ND
1 (Unlimited)
ROHS3 Compliant
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
150°C (TJ)
Surface Mount
8-SMD, Flat Lead
EAR99
8541.29.0095
3,000
VEC2616
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IMZ120R045M1XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4, N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Подробнее
Артикул: 2N5302G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 60V 30A TO204, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 30 A 2MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: MUBW40-12T7
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MODULE 1200V 62A 220W E2, IGBT Module Trench Three Phase Inverter with Brake 1200 V 62 A 220 W Chassis Mount E2
Подробнее
Артикул: 1177-8-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN ALUMINUM5/16 R, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 1.625" (41.28mm) 1 5/8" -
Подробнее
Артикул: IRFP4410ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 97A TO247AC, N-Channel 100 V 97A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 2N6213
Бренд: Central Semiconductor
Описание: TRANS PNP 350V 2A 35W TO-66, Bipolar (BJT) Transistor PNP 350 V 2 A 20MHz 35 W Through Hole TO-66
Подробнее