г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

VS-10ETF12PBF VISHAY

Артикул
VS-10ETF12PBF
Бренд
VISHAY
Описание
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC, Diode Standard 1200 V 10A Through Hole TO-220AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/VS-10ETF12PBF.jpg
50
Through Hole
Standard
1200 V
10A
1.33 V @ 10 A
Fast Recovery = 200mA (Io)
310 ns
-
10ETF12PBF,10ETF12PBF-ND,VS-10ETF12PBF-ND,VS-10ETF12PBFGI
8541.10.0080
EAR99
-
Tube
Discontinued at Digi-Key
TO-220-2
TO-220AC
10ETF12
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
-40°C ~ 150°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1249-6-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN ALUMINUM5/8 RD, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 0.313" (7.94mm) -
Подробнее
Артикул: IXTH20N60
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 600V 20A TO247, N-Channel 600 V 20A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Подробнее
Артикул: 1N5253B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 25V 500MW DO35, Zener Diode 25 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 1N3891
Бренд: Solid State
Описание: 12 AMP FAST RECOVERY RECTIFIER D, Diode Standard 200 V 12A Stud Mount DO-4
Подробнее
Артикул: MUBW15-12A7
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MODULE 1200V 35A 180W E2, IGBT Module NPT Three Phase Inverter with Brake 1200 V 35 A 180 W Chassis Mount E2
Подробнее
Артикул: 2N1893
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 80V 0.5A TO-39, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 70MHz 800 mW Through Hole TO-39
Подробнее