г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

VS-1N1206RA VISHAY

Артикул
VS-1N1206RA
Бренд
VISHAY
Описание
DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA, Diode Standard, Reverse Polarity 600 V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
Цена
1 073 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/VS-1N1206RA.jpg
VS1N1206RA,*1N1206RA,1N1206RA,1N1206RA-ND
100
Standard, Reverse Polarity
600 V
12A
1.35 V @ 12 A
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
1 mA @ 600 V
-
8541.10.0080
EAR99
REACH Unaffected
-
Bulk
Active
Chassis, Stud Mount
DO-203AA, DO-4, Stud
DO-203AA (DO-4)
1N1206
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
-65°C ~ 200°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: CA3046
Бренд: Rochester Electronics
Описание: CA3046 - GENERAL PURPOSE NPN TRA, Bipolar (BJT) Transistor Array
Подробнее
Артикул: 1531-E-3-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее
Артикул: FMM22-06PF
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET 2N-CH 600V 12A I4-PAC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 12A 130W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Подробнее
Артикул: IRFB4215
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB, N-Channel 60 V 115A (Tc) 270W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: MRFE6P3300HR3,128
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: RF 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUEN, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRFB23N20D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB, N-Channel 200 V 24A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее