г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

VS-40EPF12-M3 VISHAY

Артикул
VS-40EPF12-M3
Бренд
VISHAY
Описание
DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC, Diode Standard 1200 V 40A Through Hole TO-247AC Modified
Цена
784 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/VS-40EPF12-M3.jpg
500
Through Hole
Standard
1200 V
40A
1.4 V @ 40 A
Fast Recovery = 200mA (Io)
450 ns
100 µA @ 1200 V
-
VS-40EPF12-M3GI
8541.10.0080
-
Tube
Active
TO-247-2
TO-247AC Modified
40EPF12
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
-40°C ~ 150°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BZX84C20
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 20V 300MW SOT23-3, Zener Diode 20 V 300 mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: FDMC2610
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP, N-Channel 200 V 2.2A (Ta), 9.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Подробнее
Артикул: MJ15002
Бренд: Harris
Описание: TRANS PNP 140V 15A TO204, Bipolar (BJT) Transistor PNP 140 V 15 A 2MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: 1N5307
Бренд: Solid State
Описание: FED 2.4 MA DO35, Diode Standard 100 V - Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: MS2901
Бренд: Microsemi
Описание: TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: BUP213
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 32A 200W TO220, IGBT - 1200 V 32 A 200 W Through Hole TO-220AB
Подробнее