г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

VS-40MT120UHAPBF VISHAY

Артикул
VS-40MT120UHAPBF
Бренд
VISHAY
Описание
IGBT MODULE 1200V 80A 463W MTP, IGBT Module NPT Half Bridge 1200 V 80 A 463 W Chassis Mount MTP
Цена
2 062 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
-
15
463 W
NPT
Half Bridge
1200 V
80 A
4.91V @ 15V, 80A
250 µA
Standard
No
VS40MT120UHAPBF
8541.29.0095
EAR99
Tube
Obsolete
-40°C ~ 150°C (TJ)
Chassis Mount
12-MTP Module
MTP
40MT120
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
8.28 nF @ 30 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDZ7296
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 11A 18BGA, N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount 18-BGA (2.5x4)
Подробнее
Артикул: VS-GBPC3502A
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-A, Bridge Rectifier Single Phase Standard 200 V QC Terminal GBPC-A
Подробнее
Артикул: SJPB-H6
Бренд: Sanken
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP, Diode Schottky 60 V 2A Surface Mount SJP
Подробнее
Артикул: 1526-A-3-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN BRASS3/1, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.750" (19.05mm) 3/4" -
Подробнее
Артикул: 1N4003G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41, Diode Standard 200 V 1A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: BZX84-C3V3,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 3.3V 250MW TO236AB,
Подробнее