г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

VS-8EWF10S-M3 VISHAY

Артикул
VS-8EWF10S-M3
Бренд
VISHAY
Описание
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252AA, Diode Standard 1000 V 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Цена
613 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/VS-8EWF10S-M3.jpg
75
Surface Mount
Standard
1000 V
8A
1.3 V @ 8 A
Fast Recovery = 200mA (Io)
270 ns
100 µA @ 1000 V
-
Q14308614,VS-8EWF10S-M3GI,VS-8EWF10S-M3-CRL
8541.10.0080
-
Tube
Active
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
D-PAK (TO-252AA)
8EWF10
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
-40°C ~ 150°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: AOUS66616
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание:

MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8, N-Channel 60 V 33A (Ta), 92A (Tc) 6.2W (Ta), 92.5W (Tc) Surface Mount UltraSO-8™

Подробнее
Артикул: BC80740
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor Array PNP 45V 800mA 100MHz 310mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1378-10-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON5/16, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.188" (30.18mm) 1 3/16" -
Подробнее
Артикул: MRF7S18170HR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 65V 1.81GHZ NI-880, RF Mosfet LDMOS 28 V 1.4 A 1.81GHz 17.5dB 50W NI-880H-2L
Подробнее
Артикул: 1N5819
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL, Diode Schottky 40 V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: BDV64B
Бренд: Central Semiconductor
Описание: POWER TRANSISTOR PNP TO218, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 12 A 60MHz 125 W Through Hole TO-218
Подробнее